ホウ素の構造 - 済南パラディオシリーズ株式会社

Nature Communications volume 13、記事番号: 2624 (2022) この記事を引用

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2 オルトメトリック

メトリクスの詳細

十分に発達した炭素立体形成化学と比較して、ホウ素立体形成化合物の構築は未開発であり、依然として困難である。ここでは、これまではとらえどころのなかったホウ素立体化合物の触媒的エナンチオ選択的構築が、エナンチオ選択的非対称 B-H 結合挿入反応によって達成されました。キラル銅触媒下での 2-アリールピリジン-ボランと多用途ジアゾ化合物との B-H 結合挿入反応により、優れたエナンチオ選択性を備えたホウ素立体化合物が得られます。さらに、この反応の合成の有用性は、スケーラビリティと下流の変換によって実証されています。 DFT 計算により、反応機構と立体選択性の起源についての洞察が得られます。

ホウ素は、有機化学における重要な半金属元素です。ホウ素は通常、炭素立体中心を持つ三配位キラル有機ホウ素化合物を形成し、これは光学活性分子にアクセスするための重要な合成試薬として機能します1、2、3、4、5。さらに、三配位有機ホウ素化合物は軸性キラル骨格として設計することもでき、CB 結合軸を持つキラル有機ホウ素化合物を不斉触媒的に調製する取り組みは、それぞれ私たちのグループ 6 と Tan & Zhang のグループ 7 によって達成されました (図 1A)。三配位有機ホウ素化合物は、ルイス塩基または求核試薬から電子を受け取り、四面体幾何学を有する四配位有機ホウ素化合物を形成できる空の p 軌道を持っています8、9、10、11、12、13、14、15。四配位有機ホウ素化合物の 4 つの置換基がすべて異なる場合、ホウ素原子は炭素、ホスフィン 16、17、18、19、硫黄 20、21、22、またはケイ素 23、24 中心と同様の立体中心でもあります。実際、ホウ素立体形成化合物は天然物 25 や材料 26,27 にも見られます (図 1B)。ホウ素立体形成化合物の重要性にもかかわらず、そのようなキラル化合物を構築するためのエナンチオ選択的触媒法はとらえどころがなく、これまでのところ、He らによって報告されたエナンチオ豊富なプロトコールは 1 つだけです。 CuAAC クリックケミストリーによるジアセチル化四配位ホウ素種の非対称化によって達成されるこのようなホウ素立体形成化合物を入手する (図 1C)28、それらに対する他の既知のアプローチは、キラル分割またはキラル基質誘導プロセスに限定されています 29,30 、31、32、33、34、35、36、37、38。注目すべき点は、ホウ素原子のサイズが小さいため（炭素、窒素、硫黄、リンなどの立体中心を明らかにする可能性がある非常に知られている原子と比較して）、エナンチオ選択的反応部位が直接存在する場合は困難になるでしょう。ボロンそのもの。したがって、それは大きな余地を残し、多様な構造を有するホウ素不斉化合物の触媒的エナンチオ選択的合成の開発を非常に魅力的であると同時に困難なものにする。

A キラル有機ホウ素化学の現状。 B 天然生成物および材料中のホウ素不規則化合物。 C ホウ素立体形成化合物の合成のための非対称 CuAAC (He et al.)。 D ホウ素立体形成化合物に対する触媒的非対称 BH 挿入 (この研究)。

エナンチオ選択的非対称化は、キラル分子にアクセスするための最も頻繁に研究される戦略の 1 つとして浮上しています 39,40,41,42,43,44。既知の戦略とは異なり、ホウ素原子上に直接ホウ素立体中心を構築するには、2 つの同一の反応部位を持つ適切で安定した四配位有機ホウ素基板がこの目標の成功の鍵となります。一方、カルベンによる B-H 結合挿入反応は、新しい CB 結合を構築するための効率的なアプローチになります 45,46,47,48,49,50,51,52,53,54,55,56,57 。この触媒プロセスは Curran48 と Zhou & Zhu49 によって開拓され、後者 2 人はホスフィン - ボラン付加物 (M2HP・BH3) の B - H 結合へのカルベンの不斉挿入を初めて達成しました。最も注目すべきことは、標的生成物は 2 つの同じ BH 結合を持つ安定な 4 配位有機ボランであり、我々の要件を完全に満たしており、我々の目的にとって理想的な出発材料として機能する可能性があります。この知識に基づいて、我々は、金属触媒によるエナンチオ選択的非対称BH結合挿入により、このような四配位ボラン(L・BH2R)とジアゾ化合物を挿入すると、所望のエナンチオ富化ホウ素立体化合物(L・B*HRR')をホウ素原子上に直接与えることができると想像している。。しかし、この化学はいくつかの大きな課題に直面するでしょう: (1) 現在の BH 結合挿入反応は主に四配位ボランの最初の BH 結合 (L・BH3) で起こり、四配位ボランの 2 番目の BH 結合 (L・BH2R) は相対的に起こります。不活発でほとんど調査されない48。 (2) 既知の四配位有機ブラン (L・BH2R) は直鎖状であり、不安定な性質を持っているため、仮説の成功には四配位ボラン基質に適した骨格の選択が不可欠と考えられます。 (3) 我々の知る限り、BX (X = C、H、O、N、P) 結合がホウ素立体形成化合物の構築に直接関与しているという前例の報告はありません。我々の以前の報告に触発されて、N含有配位子を有する環状四配位ホウ素は堅固な足場を提供し、これによりエナンチオ富化ホウ素立体形成化合物の構築の実現可能性が高まるであろう58。

今回我々は、カルベンを基質として2-アリールピリジンボラン（L・BH2R）を用いた非対称B-H結合挿入を介して、ホウ素原子上に直接ホウ素不斉中心を銅触媒でエナンチオ選択的に構築することを示し、ホウ素への直接的かつ効率的なルートを提供する。 -立体形成化合物 (図 1D)。 DFT 計算により、優れたエナンチオ選択性とジアステレオ選択性の起源が解明されました。

提案されたエナンチオ選択的非対称 B-H 結合挿入反応を探索するために、置換 2-アリールピリジン-ボラン (1) およびジアゾ化合物 (2) を使用して最初の基質評価を実行しました (図 2)。さまざまな反応パラメーター (エントリ 1 ～ 10、図 2) を慎重に検討した結果、触媒として Cu(MeCN)4PF6 (5 mol%)、ジエチル置換キラルビスオキサゾリン L を使用すると、対応する目的のホウ素不立体生成物 3 がスムーズに得られることがわかりました。アルゴン下、0 °C でリガンドとして DCM、溶媒として DCM を使用します。ベンゼン環とピリジン環の異なる位置に置換基をもつ検討した四配位ホウ素基質 (1a ～ 1h) の中で、7-クロロ置換 2-フェニルピリジン-ボラン (1a) は、優れた収率で最高のエナンチオ選択性を示しました (エントリ 1、図 2)。 2) (ジアゾメチレン)ジベンゼン (2a) を用いた実験。これは、2-アリールピリジン-ボラン (1) の C7 位への置換基の導入がこの変換の立体制御に役立つことを示唆しています。

条件: 2-アリールピリジン-ボラン (1) (0.1 mmol、1.0 当量)、ジアゾ化合物 (2) (0.1 mmol、1.0 当量)、Cu(MeCN)4PF6 (5 mol%)、リガンド L (6 mol%) 、溶媒 (1 mL) に 0 °C で 9 時間加えます。 b 分離収量。 c キラル HPLC によって測定。 d 2a の代わりにジアゾ化合物 2aa。 e 2a の代わりにジアゾ化合物 2ab。

利点が C7 位の置換基の立体効果または電子効果によるものであるかどうかを理解するために、この最適な結果に対して DFT 計算を実行しました (計算方法の詳細については補足情報 (SI)、および XYZ については補足データ 1 を参照してください)座標）。興味深いことに、水素化物をカルベン中心に移した後、ボラン基質がホウ素カチオンに変換され、さらにバリアレスSE2プロセスを経て最終生成物が得られることがわかりました（SIの補足図1を参照）。基質として 1a を使用した場合のバリアの差 (ΔΔG‡) は 1.9 kcal/mol と計算されましたが、1b (C7 位に置換基がない) を使用した場合の ΔΔG‡ はわずか 0.5 kcal/mol と計算されました (図 3)。これらの計算結果は、C7位に置換基を導入するとエナンチオ選択性が高まることを再現することに成功した。さらに、歪み相互作用分析59を実行し（SIの補足表3を参照）、相対相互作用エネルギー（ΔΔEint）がΔΔG‡とよく一致することを発見し、立体選択性の起源を示唆し、C7位の置換基の重要な役割に取り組んでいます。。主要な遷移状態の幾何学的形状を注意深く比較することにより、ボラン基質が触媒に近づくと、高い電子密度を運ぶ Cl 原子が TSR-3a-L6 内のより混雑した空間を指し、これにより C-H 結合長が長くなり、より短い結合長が得られることがわかりました。水素化物と銅カルベンの間の相互作用（詳細については、SIの補足図2を参照）。 1b を基質として使用した場合、ピリジンと非置換フェニル環の間の電子密度に本質的な違いはなく、バリアにわずかな差が生じ、立体選択性が低くなります。注目すべきことに、ジアゾ化合物が 2-ジアゾマロン酸ジエチル (2aa) および 2-ジアゾ酢酸エチル (2ab) に拡張されると、エナンチオ選択性が低くても、微量または中程度の量の目的の生成物が得られました (エントリ 9-10、図 2)。

すべての計算結果は、M06/SMD/def2TZVP//B3LYP/SMD/def2SVP 理論レベルで実行されます。

予備的な基質評価結果が得られたので、さらに慎重な条件評価を実行するためのモデル基質として 7-クロロ置換 2-フェニルピリジン-ボラン (1a) と (ジアゾメチレン) ジベンゼン (2a) を選択することにしました。さらに多くのキラルオキサゾリン（L1〜L6）をテストしたところ、リガンドL1が最良の反応性と立体選択性を示したことが判明しました（エントリ1〜6、図4）（その他のリガンドについては、SIの補足表1および2を参照）。その後の溶媒と温度の検査により、DCM と -35 °C が 91% ee で 95% の収率で目的の生成物 3a を生成するという最適な結果が得られることが示されました (エントリ 7 ～ 10、図 4)。

条件: 7-Cl 2-フェニルピリジン-ボラン (1a) (0.1 mmol、1.0 当量)、(ジアゾメチレン)ジベンゼン (2a) (0.12 mmol、1.2 当量)、Cu(MeCN)4PF6 (5 mol%)、リガンド ( 6 mol%)、溶媒 (1 mL)、0 °C で 20 時間。 b 分離収量。 c キラル HPLC によって測定。 d DCM の代わりに DCE。 e DCM の代わりに THF。 f 0 °C ではなく -20 °C。 g 0 °C ではなく -35 °C。

対称ジアゾ化合物を用いた非対称 B-H 結合挿入反応モデルを最適化した後 (図 2 および 4)、まず、異なる対称ジアゾ化合物に関してこれらの条件の基質一般性を調べました (図 5)。一般に、一連の置換ジアリールジアゾメタン 2a ～ 2k は 7-Cl-2-フェニルピリジンボラン (1a) とスムーズに反応し、対応するエナンチオ富化ホウ素不規則化合物 3a ～ 3k を中程度から優れた収率および良好から優れたエナンチオ選択性で生成しました。ハロゲン (3b ～ 3d、3 h)、メトキシ基 (3e ～ 3f)、メチル基 (3 g) および対称ポリフェニル環状環 (3h ～ 3k) はすべてこのプロセスに効率的に関与し、目的のホウ素立体生成物を生成します。良好から優れたエナンチオ選択性 (83 ～ 98% ee) の分子。次に、(ジアゾメチレン)ジベンゼン (2a) とのエナンチオ選択的 B-H 結合挿入反応の基質範囲を調査するために、一連の 2-アリールピリジン-ボラン誘導体 (3l-3s) をテストしました。様々なハロゲンを有する 2-アリールピリジン-ボランはすべて標準条件下で良好から優れたエナンチオ選択性 (3l-3r、88-92% ee) でスムーズに進行することに注目してください。二置換 2-アリールピリジン-ボランは、高収率 (79-95%) およびエナンチオ選択性 (88-91% ee) でエナンチオ豊富なホウ素立体化合物 (3n-3r) を提供します。２－ナフチルピリジン－ボラン（１ｓ）からも、対応する生成物３ｓが９３％のｅｅで９０％の収率で得られた。化合物 3n の構造と絶対配置は、X 線結晶構造解析 (CCDC 2125214) によって決定されました。

条件: 2-アリールピリジン-ボラン 1 (0.1 mmol、1.0 当量)、対称ジアリールジアゾメタン 2 (0.12 mmol、1.2 当量)、Cu(MeCN)4PF6 (5 mol%)、L1 (6 mol%)、DCM (1 mL）-35℃で9時間。 b 分離収量。

最終生成物中に B 立体中心が 1 つだけ生成された、対称ジアリールジアゾメタンを用いたこのエナンチオ選択的非対称 BH 結合挿入反応の結果 (図 5) に勇気づけられて、我々は 7-クロロ置換 2-フェニルピリジンの実現可能性を探索することを促しました。 -ボラン (1a) と非対称ジアゾ化合物、特にα-ジアゾアリル酢酸エチル 4a を合成すると、2 つの連続した立体中心が生じ、不斉合成ではそのようなプロトコルは高いエナンチオ選択性とジアステレオ選択性の両方で常に大きな課題となります。嬉しいことに、キラルビスオキサゾリンの迅速な評価により、リガンド L2 が最高のエナンチオ選択性 (98% ee) とジアステレオ選択性 (dr > 20:1) を示しました (エントリ 1 ～ 6、図 6)。さらに溶媒をスクリーニングしたところ、最も優れた反応効率は DCE によってもたらされることが示されました (エントリ 6 ～ 8、図 6)。この反応はキラルリガンドの非存在下でもジアステレオ選択的であったことに注意してください（エントリー9、図6）が、キラルリガンドの助けにより、2つのジアステレオマーの比はわずか2:1であり、エナンチオ選択性とジアステレオ選択性の両方が得られます。は劇的に改善されています (エントリ 2、図 6)。興味深いことに、この反応のジアステレオマーは単離可能でした。そして、5a の絶対配置は、X 線結晶構造解析によって明確に割り当てられました (CCDC 2104867)。

条件: 2-アリールピリジン-ボラン (1a) (0.12 mmol、1.2 当量)、α-ジアゾフェニル酢酸エチル (4a) (0.1 mmol、1 当量)、Cu(MeCN)4PF6 (5 mol%)、リガンド (6 mol%) )、溶媒 (1 mL)、0 °C で 20 時間。 b 分離収量。 c 1H NMRにより測定。 d キラルHPLCにより測定。

非対称エチル α-ジアゾアリールアセテート 4a (エントリ 7、図 6) を使用した最適条件に到達したので、まず、α-ジアゾアリル酢酸エチル (4a) を使用して、さまざまな 2-アリールピリジン-ボラン 1 に関してこれらの条件の基質一般性を調べました (図7）。 DFT 計算により、2-アリールピリジン-ボランの C7 位の置換基がエナンチオ富化四配位ホウ素種を構築するために非常に重要であることが示唆されました。前述の対称カルベン挿入と同様に、B 立体中心のキラリティーの起源は、銅カルベンのキラル環境とボランの非対称立体構造の間の相互作用から生じますが、これは C 立体中心の構築によって強く引き起こされるものではありません。。嬉しいことに、私たちの実験結果は DFT 計算を完全に検証しました。たとえば、7-フルオロ-2-フェニルピリジン-ボランを使用して生成されたキラル生成物 5b と比較して、8-フルオロ-2-フェニルピリジン-ボランは、対応する生成物 5c を良好なエナンチオ選択性 (90% ee) で生成しますが、dr 値ははるかに低くなります。 (>20:1 対 3.3:1)。一般に、一連の 7-置換 2-フェニルピリジン-ボラン 1 は α-ジアゾフェニル酢酸エチル (4a) とスムーズに反応し、対応するエナンチオ富化ホウ素立体化合物 5b、5d-5l が良好から優れた収率とエナンチオ選択性で得られました。優れたジアステレオ選択性 (dr > 20:1)。たとえば、さまざまなハロゲン置換基は良好に許容され、すべての置換基が優れたエナンチオ選択性 (93 ～ 99% ee) とジアステレオ選択性 (> 20:1 dr) で目的のホウ素立体分子 5b、5d ～ 5k を生成しました。一置換または二置換のもの。メチル (5 g、5k、5 m) およびトリフルオロメトキシ (5 l) 基置換 2-フェニルピリジン-ボランはすべてこのプロセスに効率的に関与し、化合物 5 m のみが相対的に低い dr 値 (6.5:1) を示しました。嬉しいことに、2-ヘテロアリールピリジン-ボランもこのエナンチオ選択的非対称 B-H 結合挿入反応の優れた基質であり、ホウ素立体生成物 5n および 5o が良好なジアステレオ選択性と優れたエナンチオ選択性で良好な収率で得られました。ピリジン環の 1 位への置換基の導入は、この変換の反応性とエナンチオ選択性に最小限の影響を与えましたが、ジアステレオ選択性が低下しました (5p、91% ee vs 3:1 dr)。次に、α-ジアゾアリル酢酸エステル 4 の範囲を調査しました。 α-ジアゾアリール酢酸のエステル部分をメチル、ベンジル、tert-ブチル、フェニルに変更しても優れた結果は変わりませんでしたが、それらはすべて、対応する生成物 5q-5t を優れたエナンチオ選択性とジアステレオ選択性で提供するための優れた候補でした。 α-ジアゾアリール酢酸エステルのベンゼン環上の電子豊富な基 (5u-5y) と電子不足のグループ (5z、5aa) の両方、およびハロゲン (5ab-5ad) は、このエナンチオ選択的非対称 B-H 結合挿入反応を中程度から優れたエナンチオ選択性と優れたジアステレオ選択性。さらに、α-ジアゾ 2-ナフチルアセテート (5ae) もこの反応に適合しました。

条件: 2-アリールピリジン-ボラン (1) (0.12 mmol、1.2 当量)、α-ジアゾアリール酢酸 4 (0.1 mmol、1 当量)、Cu(MeCN)4BF4 (5 mol%)、L2 (6 mol%)、DCE (1 mL) 0 °Cで。 b 分離収量。

このエナンチオ選択的非対称 B-H 結合挿入反応 (図 8) の合成有用性を実証するために、まずグラムスケールの反応を実行しました。嬉しいことに、この反応は触媒を半分にする条件下でも同様の効率とエナンチオ選択性を示し(図8A)、これはホウ素不立体化合物の大規模な化学生成が達成できることを示しています。さらに、合成の有用性をさらに実証するために、ホウ素立体形成化合物 5a の誘導体化も行われました。幸いなことに、ホウ素立体形成化合物 5a はさらに BH 結合挿入反応を受けることができ、キラリティー (98% ee) を保持した 3-炭素置換ホウ素立体形成化合物 6 が得られました。さらに、5a のエステル部分は、DIBAl-H の存在下でアルコール 7 に還元することもできます。臭化物5dは、パラジウム触媒によるクロスカップリングによって容易に錯体8に変換できることに留意すべきである(図8B)。驚くべきことに、二重 BH 結合挿入反応を 2 ステップのワンポットプロトコールと組み合わせることができました (図 8C)。 1a と 4a の間のエナンチオ選択的非対称 BH 結合の挿入後、さらに精製することなく、新しい触媒と新しいリガンドの非存在下で 2 番目のジアゾ化合物 9 を反応混合物に直接添加すると、所望の生成物 6 が 97% の単離収率で 76% で得られました。％ee。

グラムスケールの反応。 B 変換。 C 3 炭素置換ホウ素不立体化合物 6 を得るワンポット反応。

反応機構を調べるために、いくつかの同位体実験が行われました (図 9)。重水素化 2-フェニルピリジン-ボラン 9-d2 を基質として使用すると、重水素原子はホウ素立体生成物 9-d2 の α-炭素に移動しました (図 9A)。さらに、速度論的同位体効果（KIE）実験（kH/kD = 1.5）は、B-H結合の挿入プロセス（B-H結合の切断とC-H結合の形成を含む）が律速段階に関与していない可能性があることを示しました（図1）。 9B)、この結果は以前のレポートと一致していました52。

重水素標識実験。 B KIE実験。

DFT計算（図10）は、ジクロロ置換基質1nを使用した場合、最終的に実験で観察された生成物5hにつながる遷移状態であるTSSR-5h-L3が、4つの異なる構成の中で最も好ましいものであることを示しています。歪み相互作用分析 59 (補足表 4 を参照) により、銅カルベンの相対歪みエネルギー (ΔΔEdist(カルベン)) が、反応の相対障壁 (ΔΔG‡) の違いに主に寄与していることが明らかになりました。 TSSR-5h-L3 のエステル基の配向は、銅カルベンの最適化された構造と比較して保存されています。対照的に、TSSS-5h-L3のエステル基は、Cl原子の強い反発を避けるために理想的な幾何学形状から約10°回転し、ギブスエネルギーの上昇を引き起こします（補足図3を参照）。同様に、TSRS-5h-L3の銅カルベンフラグメントにはより混雑したスペースが含まれており、ボラン基質の侵入に対してより敏感になります（補足図4を参照）。 TSRS-5h-L3 のリガンドの歪みが大きいことは、銅カルベンフラグメントの歪みエネルギーが大きいことと、それに対応する反応障壁の違いを説明できる可能性があります。 1bを基質として使用した場合、1nの場合と同様の理由によりエナンチオ選択性は依然として高いものの(補足図5)、ジアステレオマー比は20:1超から3.3:1に低下します。この興味深い結果は、計算された ΔΔG‡ および銅カルベンの相対歪みエネルギー (ΔΔEdist(carbene)) の減少と一致しています。 C7位にCl原子が存在しない場合、銅カルベンが非置換フェニル環とピリジンを区別するのは難しいため、エステル基の方向はTSSR-11-L3とTSSS-11-L3で類似しています（補足図6）。）。実験結果と計算結果の両方が、ジアステレオ選択性を改善するための C7 置換の重要な役割を明確に示しています。

すべての計算結果は、M06/SMD/def2TZVP//B3LYP/SMD/def2SVP 理論レベルで実行されます。

結論として、我々は、2-アリールピリジンボランとジアゾ化合物とのエナンチオ選択的銅触媒非対称B-H結合挿入反応を介して、ホウ素不斉化合物を構築するための触媒プロトコルを達成し、一連のエナンチオリッチホウ素不斉化合物を作製した。高いエナンチオ選択性とジアステレオ選択性で効率的に合成されます。実験と DFT 計算の両方から、2-アリールピリジン-ボランの C7 位への置換基の導入がこの変換の立体制御に役立つことが示唆されました。さらに、2-アリールピリジン-ボランは、2 回の BH 結合挿入反応を経て、3-炭素置換ホウ素立体形成化合物を得ることができます。これらのホウ素立体形成分子の有用性については、現在私たちの研究室でさらなる研究が進行中です。

空気中で、10 mL シュレンク管に 1 (0.10 mmol、1.0 当量)、2 (0.12 mmol、1.2 当量)、Cu(MeCN)4PF6 (5 mol%)、L1 (6 mol%) を入れました。チューブを真空にし、アルゴンを充填することを 3 サイクル行いました。次に、1 mLのDCMをアルゴン下で加えた。反応物を-35℃で9時間撹拌した。完了したら、適切な量のシリカゲルを反応混合物に加えた。溶媒を除去した後、粗反応混合物をシリカゲル(石油エーテルおよび酢酸エチル)上で精製して、所望の生成物を得た。

空気中で、１０ｍＬシュレンク管に１（０．１２ｍｍｏｌ、１．２当量）、４（０．１ｍｍｏｌ、１当量）、Ｃｕ（ＭｅＣＮ）４ＰＦ６（５モル％）、Ｌ２（６モル％）を充填した。チューブを真空にし、アルゴンを充填することを 3 サイクル行いました。次いで、１ｍＬのＤＣＥをアルゴン下で加えた。反応物を０℃で２０時間撹拌した。完了したら、適切な量のシリカゲルを反応混合物に加えた。溶媒を除去した後、粗反応混合物をシリカゲル(石油エーテルおよび酢酸エチル)上で精製して、所望の生成物を得た。

この記事で報告されている 3n および 5a の構造の X 線結晶座標は、寄託番号 CCDC 2125214 (3n) および 2104867 (5a) でケンブリッジ結晶学データセンター (CCDC) に寄託されています。これらのデータは、http://www.ccdc.cam.ac.uk/data_request/cif (The Cambridge Crystallographic Data Centre) から無料で入手できます。実験手順、新しい化合物の特性評価、および DFT 計算 (XYZ 座標については補足データ 1 を参照) は補足情報で入手できます。

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中国国立自然科学財団 (21931013) (QS 宛)、広東省触媒重点研究所 (No. 2020B121201002) (QS および PY 宛)、および河南師範大学化学・化学工学部公開研究基金からの資金援助 ( QS へ) 感謝の意を表します。計算作業は、南方科学技術大学の計算科学工学センターと、南方科学技術大学化学科にある CHEM 高性能スーパーコンピュータークラスター (CHEM-HPC) によって支援されました。

これらの著者は同様に貢献しました: Guan Zhang、Zhihan Zhang。

分子合成および機能発見の主要研究室、福建省大学、福州大学化学科、福州市、福建省、350108、中国

Guan Zhang、Mengyuan Hou、Xinping Cai、Kai Yang & Qiuling Song

化学部および深セングラブス研究所、広東省触媒主要研究所、南方科技大学、深セン、広東省、518055、中国

Zhihan Zhang、Peiyuan Yu、Qiuling Song

華橋大学材料工学部次世代物質変換研究所 668 Jimei Boulevard, Xiamen, Fujian, 361021, China

曲陵陵

河南師範大学化学・化学工学部、河南省新郷、453007、中国

曲陵陵

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QS がプロジェクトを発案し、監督しました。 GZ と MH は実験を行い、補足情報を作成しました。 XC と KY は、データ分析によるいくつかの新しい化合物の収集を支援しました。 PY と ZZ は DFT 計算を実行し、DFT 部分の草案を作成しました。 QS、PY、GZ、ZZ が論文を執筆しました。著者全員が結果について議論し、原稿についてコメントしました。

Peiyuan Yu または Qiuling Song に相当します。

著者らは競合する利害関係を宣言していません。

Nature Communications は、この研究の査読に貢献してくれた Longwu Ye と他の匿名の査読者に感謝します。査読者レポートが利用可能です。

発行者注記 Springer Nature は、発行された地図および所属機関の管轄権の主張に関して中立を保っています。

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転載と許可

Zhang、G.、Zhang、Z.、Hou、M. 他。 Cu触媒によるエナンチオ選択的非対称B-H結合挿入反応によるホウ素立体形成化合物の構築。 Nat Commun 13、2624 (2022)。 https://doi.org/10.1038/s41467-022-30287-7

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受信日: 2022 年 1 月 14 日

受理日: 2022 年 4 月 21 日

公開日: 2022 年 5 月 12 日

DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-022-30287-7

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